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等离子体处理装置 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:本发明提供一种等离子体处理装置,具备:等离子体处理腔室;基板支承部,其配置于所述等离子体处理腔室内,所述基板支承部具有下部电极;上部电极,其配置于所述基板支承部的上方;RF电源,其构成为向所述上部电极或所述下部电极提供RF信号,所述RF信号在重复期间内的第一副期间的期间具有第一功率水平,在所述重复期间内的第二副期间的期间具有第二功率水平;以及DC电源,其构成为向所述下部电极提供DC信号,所述DC信号在所述第一副期间内的延迟期间的期间具有关闭状态,在所述第一副期间的除所述延迟期间以外的期间具有多个DC脉冲的序列,在所述第二副期间的期间具有关闭状态,所述延迟期间为所述重复期间的2%~7%的范围内。

主权项:1.一种等离子体处理装置,具备:等离子体处理腔室;基板支承部,其配置于所述等离子体处理腔室内,所述基板支承部具有下部电极;上部电极,其配置于所述基板支承部的上方;射频电源,其构成为向所述上部电极或所述下部电极提供射频信号,所述射频信号在重复期间内的第一副期间的期间具有第一功率水平,在所述重复期间内的第二副期间的期间具有第二功率水平;以及直流电源,其构成为向所述下部电极提供直流信号,所述直流信号在所述第一副期间内的延迟期间的期间具有关闭状态,在所述第一副期间的除所述延迟期间以外的期间具有多个直流脉冲的序列,在所述第二副期间的期间具有关闭状态,其中,所述延迟期间为所述重复期间的2%~7%的范围内。

全文数据:

权利要求:

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