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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板在腔室内配置于基板支承器之上。基板支承器包括下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极之上。等离子体处理方法还包括为了进行相对于基板的等离子体处理而在腔室内已生成等离子体时，对导电性部件施加正极性电压的工序。导电性部件在相比基板更靠腔室的被接地的侧壁附近延伸。
主权项：1.一种等离子体处理方法，其包括：在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序，其中，所述基板在所述腔室内被配置于基板支承器上且通过边缘环包围的区域内，该基板支承器包括下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘；为了进行相对于所述基板的等离子体处理而通过供应具有第一频率的高频电力在所述腔室内生成等离子体的工序，为了进行相对于所述基板的所述等离子体处理而在所述腔室内生成所述等离子体时，对所述下部电极供应偏压的工序，及为了进行相对于所述基板的所述等离子体处理而在所述腔室内生成所述等离子体时，对在相比所述基板更靠所述腔室的被接地的侧壁附近延伸的导电性部件施加正极性电压的工序，所述导电性部件与所述边缘环电隔离，且在相比所述边缘环更靠所述腔室的所述侧壁附近延伸，所述偏压为具有第二频率的高频偏压电力或以第二频率周期性地施加到所述下部电极的脉冲状的负极性电压，以所述第二频率规定的所述偏压周期包括所述基板的电位为负的第一期间和所述基板的电位为0或正的第二期间，所述正极性电压在所述第一期间被施加到所述导电性部件上，在所述第二期间不被施加到所述导电性部件上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法及等离子体处理装置
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