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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供能够将具有所需离子能量的离子高效地供给至基片的等离子体处理装置。一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，第1高频电源经由第1匹配器与设置于腔室内的基片支承台的下部电极连接。第1高频电源将偏置用的第1高频功率向下部电极供给。第2高频电源经由第2匹配器与负载连接。第2高频电源将等离子体生成用的第2高频功率向负载供给。第2匹配器的控制器为了减少第1高频功率的各周期内的被指定的部分期间中的来自第2高频电源的负载的反射，设定所述第2匹配器的匹配电路的阻抗。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；设置在所述腔室内的基片支承台，其具有下部电极；向所述下部电极供给第1高频功率的第1高频电源，其中，所述第1高频功率为偏置高频功率；连接于所述第1高频电源与该第1高频电源的负载之间的第1匹配器；供给等离子体生成用的第2高频功率的第2高频电源；和连接于所述第2高频电源与该第2高频电源的负载之间的第2匹配器，所述第2匹配器包括具有可变阻抗的匹配电路和控制器，所述控制器构成为能够设定所述匹配电路的阻抗，以减少所述第1高频功率的各周期内的被指定的部分期间中的来自所述第2高频电源的所述负载的反射，所述部分期间是从所述第1高频电源输出的所述第1高频功率的电压具有负的极性的期间内的期间，或者从所述第1高频电源输出的所述第1高频功率的电压具有正的极性的期间内的期间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、阻抗的匹配方法和等离子体处理方法
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