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申请/专利权人：首尔伟傲世有限公司
摘要：一实施例的垂直腔面发射激光器件，包括：下镜；上镜，布置于所述下镜上方；活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器件，其特征在于，包括：下镜；上镜，布置于所述下镜上方；活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；上欧姆接触层，沿着所述上镜周围欧姆接触于所述上n型覆层；环状的沟槽，使所述下n型覆层暴露；台面，被所述沟槽围绕；上绝缘层，覆盖所述台面以及所述沟槽的侧壁及底面，并且具有使所述上欧姆接触层暴露的第一开口部；第二电极焊盘，布置于所述上绝缘层上，并通过所述第一开口部电接通于所述上欧姆接触层，所述第二电极焊盘延伸为覆盖所述沟槽的所述侧壁和所述底面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 首尔伟傲世有限公司 垂直腔面发射激光器件
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