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热发射器及其制造方法和应用 

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申请/专利权人:比亚迪股份有限公司

摘要:一种热发射器及其制造方法和应用,热发射器包括基底层、薄膜层、发射层和保护层;薄膜层设置在基底层上;发射层设置在薄膜层背向基底层的一侧;保护层覆盖在发射层上,发射层的横截面为圆形或方形,发射层的横截面为圆形时的半径R1满足:200nm≤R1≤2000nm,发射层的横截面为方形时的边长L1满足:400nm≤L1≤4000nm。本申请提供的热发射器的发射层的尺寸可以在上述范围内调整,从而满足发射波段可调节的效果,提升器件的实际应用潜力。

主权项:1.一种热发射器,其特征在于,包括:基底层;薄膜层,设置在所述基底层上;发射层,设置在所述薄膜层背向所述基底层的一侧;保护层,覆盖在所述发射层上;所述发射层的横截面为圆形或方形,所述发射层的横截面为圆形时的半径R1满足:200nm≤R1≤2000nm,所述发射层的横截面为方形时的边长L1满足:400nm≤L1≤4000nm。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 比亚迪股份有限公司 热发射器及其制造方法和应用

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