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申请/专利权人：上海新微半导体有限公司
摘要：本发明提供一种边发射激光器及其制作方法，通过在脊波导定义区域的欧姆接触层上直接先形成正面电极，正面电极完全覆盖欧姆接触层，能够实现正面电极窗口最大化和接触面积最大化，优化边发射激光器器件欧姆特性，有效改善边发射激光器的电学和热学特性，提高边发射激光器的性能；并且，在脊波导制作过程中，使用正面电极作为刻蚀掩膜层，同时实现正面电极和脊波导的自对准，以及由于正面电极作为掩膜层一直存在，避免刻蚀工艺对包层及有源层的损伤；在钝化层中开口的工艺中，由于正面电极已经存在，钝化层中开口大小对欧姆接触影响很小，有效降低钝化层中开口工艺的工艺复杂性，提高生产效率。
主权项：1.一种边发射激光器的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，所述衬底的正面上依次形成有有源层、包层和欧姆接触层；形成正面电极，所述正面电极位于脊波导定义区域且位于所述欧姆接触层上；执行刻蚀工艺，以所述正面电极为掩模，刻蚀暴露出的部分所述欧姆接触层并刻蚀至所述包层，在所述正面电极的两侧形成沟槽，相邻所述沟槽之间的所述包层构成脊波导；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述欧姆接触层、所述沟槽的侧壁和底壁、所述正面电极的边缘部分，所述钝化层具有开口，所述开口暴露出所述正面电极的中间部分；形成焊盘，所述焊盘与所述正面电极通过所述钝化层的开口处连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微半导体有限公司 边发射激光器及其制作方法
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