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申请/专利权人：杭州泽达半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体激光器制备方法。该方法包括：在外延衬底表面形成用于降低寄生电容的介质垫高层结构的步骤，以及在形成有介质垫高层结构的外延衬底表面蒸镀PAD电极的步骤；使用以下工艺在外延衬底表面形成所述介质垫高层结构：S1、在外延衬底表面制备介质层；S2、在所述介质层表面形成光刻胶掩膜；S3、使用轻量化热回流工艺对光刻胶掩膜进行处理，使得光刻胶掩膜的边缘形成弧状轮廓；S4、使用刻蚀选择比为0.8～1.2的干法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀，形成边缘呈弧状轮廓的介质垫高层结构，并去除残余光刻胶。本发明还公开了一种半导体激光器。本发明可确保PAD金属蒸镀连接性，且工艺简单，实现成本较低。
主权项：1.一种半导体激光器制备方法，包括：在外延衬底表面形成用于降低寄生电容的介质垫高层结构的步骤，以及在形成有介质垫高层结构的外延衬底表面蒸镀PAD电极的步骤；其特征在于，使用以下工艺在外延衬底表面形成所述介质垫高层结构：S1、在外延衬底表面制备介质层；S2、在所述介质层表面形成光刻胶掩膜；S3、使用轻量化热回流工艺对光刻胶掩膜进行处理，使得光刻胶掩膜的边缘形成弧状轮廓；S4、使用刻蚀选择比为0.8～1.2的干法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀，形成边缘呈弧状轮廓的介质垫高层结构，并去除残余光刻胶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州泽达半导体有限公司 一种半导体激光器制备方法及半导体激光器
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