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申请/专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及激光器制造技术领域，具体涉及一种电吸收调制激光器的制造方法和电吸收调制激光器。制造方法包括以下步骤：提供多量子阱结构；多量子阱结构包括电吸收调制区、波导区和激光光源区，波导区位于电吸收调制区和激光光源区之间；在多量子阱结构上形成隔离保护层；隔离保护层覆盖电吸收调制区和激光光源区，并暴露出波导区；形成介质膜层；介质膜层覆盖电吸收调制区和激光光源区的隔离保护层，以及波导区；退火混杂；将形成介质膜层的多量子阱结构进行退火处理。本发明的制造方法可以解决现有技术中量子阱混杂法制造InGaAlAs基的电吸收调制激光器时因长时间高温退火引起晶体质量下降以及残留缺陷对外延层损坏的问题。
主权项：1.一种电吸收调制激光器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供多量子阱结构；所述多量子阱结构包括电吸收调制区、波导区和激光光源区，所述波导区位于所述电吸收调制区和所述激光光源区之间；所述多量子阱结构至少包括交替层叠的势垒层和InGaAlAs量子阱层；在所述多量子阱结构上形成隔离保护层；所述隔离保护层覆盖所述电吸收调制区和所述激光光源区，并暴露出所述波导区；形成介质膜层；所述介质膜层覆盖所述电吸收调制区和所述激光光源区的所述隔离保护层，以及所述波导区；在所述介质膜层的形成过程中，位于所述波导区的所述介质膜层与其下的膜层之间的界面被破坏产生空位缺陷；所述介质膜层为无掺杂的绝缘介质膜层；退火混杂；将形成所述介质膜层的多量子阱结构进行退火处理，诱导波导区的所述交替层叠的势垒层和InGaAlAs量子阱层发生变化，共同形成量子阱混杂层区。
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