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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法及其应用。该制备方法通过将聚偏氟乙烯颗粒原料置于模具中，先升温至熔点以上并维持以消除热历史，再降温至成型温度150℃～260℃，施加50MPa～600MPa的压力后立即施加26s‑1以上的剪切流动场，施加剪切流动场10s以上，随后恒压降温至样品结晶完成，待温度降低至室温后卸压，获得含有高结晶度取向极性晶相的聚偏氟乙烯样品。通过本方法制得的聚偏氟乙烯制品，极性晶相结晶度高达63％，且呈现良好取向，结晶形态为shish‑kebab结构，相关聚偏氟乙烯样品表现出优异的压电性能。本发明提供的该PVDF高结晶度取向极性晶相的制备方法，有助于推动PVDF制品在压电式柔性传感器领域的应用。
主权项：1.一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：S1，将聚偏氟乙烯原料加入到模具中；S2，将填装有聚偏氟乙烯原料的模具升温至聚偏氟乙烯熔点以上并维持，随后调节熔融态聚偏氟乙烯原料的温度；S3，向模具中的聚偏氟乙烯施加压力，随后立即对聚偏氟乙烯施加剪切流动场进行取向后，在该压力下对聚偏氟乙烯降温，待温度降至室温后卸掉压力，获得所述聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法与应用
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