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申请/专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司
摘要：本发明提供一种晶圆面型原位测量方法、晶圆加工方法及系统。应用于半导体加工领域。所述晶圆面型原位测量方法包括：在晶圆处于加工环境原位且厚度不再发生变化的状态下，利用厚度测量装置测量晶圆多个圈层中的多个测量位置处的厚度；根据每个圈层中的多个测量位置处的厚度确定每个圈层的厚度；根据每个圈层的厚度确定晶圆厚度分布数据，根据晶圆厚度分布数据确定晶圆的面型特征。本发明可以提高减薄工艺的加工效率。
主权项：1.一种晶圆面型原位测量方法，其特征在于，包括：在晶圆处于加工环境原位且厚度不再发生变化的状态下，利用厚度测量装置测量晶圆多个圈层中的多个测量位置处的厚度；根据每个圈层中的多个测量位置处的厚度确定每个圈层的厚度；根据每个圈层的厚度确定晶圆厚度分布数据，根据晶圆厚度分布数据确定晶圆的面型特征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京特思迪半导体设备有限公司 晶圆面型原位测量方法、晶圆加工方法及系统
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