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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种晶棒切割方法及硅片，属于硅片制造技术领域，该晶棒切割方法包括：控制切割线切割晶棒，并向切割线和晶棒相接处喷射切割液；切割包括依次进行的第一阶段和第二阶段；在第一阶段，切割液的温度由第一预设温度T1降低至第二预设温度T2，在第二阶段，切割液的温度由第三预设温度T3增加至第四预设温度T4。本申请通过使得冷却液的温度降低后减小以使得冷却液能够带走的热量与切割线切割晶棒时产生的热量相匹配，避免因为冷却液无法带走过多的热量或者冷却液带走了过多的热量导致晶棒在切割过程中的温度不均匀，产生翘曲，从而使得切割后的硅片质量更佳。
主权项：1.一种晶棒切割方法，其特征在于，控制切割线1切割晶棒2，并向所述切割线1和所述晶棒2相接处喷射切割液；所述切割包括依次进行的第一阶段和第二阶段；在所述第一阶段，所述切割液的温度由第一预设温度T1降低至第二预设温度T2，在所述第二阶段，切割液的温度由第三预设温度T3增加至第四预设温度T4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 晶棒切割方法及硅片
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