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申请/专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽器件终端及其栅极结构制备方法，属于半导体技术领域。本发明通过在第一衬底层上依次形成环形沟槽结构、栅极结构，在形成转角区域和非转角区域的栅极结构之后，使转角区域内的栅极结构之间的沟槽间距等于非转角区域内的栅极结构的沟槽间距，最终得到沟槽终端上拐角处的沟槽间距与水平和竖直方向的沟槽间距相等，消除沟槽器件的薄弱点，提高了器件的可靠性。
主权项：1.一种沟槽器件终端的栅极结构制备方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的第一衬底层；在所述第一衬底层表面向内刻蚀形成环形沟槽结构，所述环形沟槽结构的转角区域的沟槽宽度为第一宽度、所述环形沟槽结构的非转角区域的沟槽宽度为第二宽度，所述第一宽度小于或大于所述第二宽度；形成位于所述环形沟槽结构外壁上的第一介质层；形成位于所述第一介质层上的第一栅极，形成所述转角区域和非转角区域的栅极结构；所述环形沟槽结构的转角区域的第一衬底层的晶向为第一晶向，所述环形沟槽结构的非转角区域的第一衬底层的晶向为第二晶向；所述第一晶向为晶向（100），所述第二晶向为晶向（110），所述第一宽度大于所述第二宽度；在形成所述第一衬底层前，还包括：确定所述环形沟槽结构的转角区域的第一宽度，包括：提供第一导电类型的第二衬底层；在所述第二衬底层表面向内刻蚀形成环形沟槽结构，所述环形沟槽结构的转角区域和非转角区域的沟槽宽度均为第二宽度；形成位于所述环形沟槽结构外壁上的第二介质层；形成位于所述第二介质层上的第二栅极，形成所述转角区域和非转角区域的栅极结构；测量相邻转角区域栅极结构之间的第一间距，测量相邻非转角区域的栅极结构之间的第二间距，计算第一间距减去第二间距之间的差值，得到第一差值；根据所述第一差值计算出待增加的第一偏差值，将所述第一偏差值和所述第二宽度求和，得到所述第一宽度；根据所述第一差值计算出待增加的第一偏差值，包括：计算所述第一差值的二分之一，得到待增加的第一偏差值。
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