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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本发明的课题在于根据高频使用、低频使用之类的使用条件来减少损耗。本发明的沟槽栅极型IGBT包含：栅极沟槽120G，从半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，通过被施加电压而在周边所形成的通道区域中流通电流；开关沟槽120SW，从半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，周边未形成通道区域；及设定端子，用来从外部控制开关沟槽120SW的电压；且可通过对设定端子施加的电压来切换第1状态或第2状态，所述第1状态是接通时的电压降相对较小但切断时的能量损耗相对较大，所述第2状态是接通时的电压降相对较大但切断时的能量损耗相对较小。
主权项：1.一种沟槽栅极型IGBT，包含：半导体衬底；栅极沟槽，从所述半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，通过被施加电压而在周边所形成的通道区域中流通电流；开关沟槽，从所述半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，周边未形成通道区域；及设定端子，用来从外部控制所述开关沟槽的电压；且可通过对所述设定端子施加的电压来切换第1状态或第2状态，所述第1状态是接通时的电压降相对较小但切断时的能量损耗相对较大，所述第2状态是接通时的电压降相对较大但切断时的能量损耗相对较小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 沟槽栅极型IGBT及其驱动方法
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