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申请/专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学

摘要：本发明公开了有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极及制备方法，所述源漏电极为TiAlNiAuX五层金属叠层结构，TiAlNiAuX五层金属叠层结构为在GaN基HEMT器件的外延层上从下到上依次排布的Ti、Al、Ni、Au和X金属层，其中X为TiN、Ti、W或TiW中的一种以上。该制备方法无需额外的光刻步骤，利用磁控溅射中沉积的金属X在剥离后会向两边扩散0.5μm～1μm，从而能够实现将下方的TiAlNiAu完全包裹住，改善了退火后金属的形貌，提高了器件击穿电压。

主权项：1.有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极，其特征在于，所述源漏电极为TiAlNiAuX五层金属叠层结构，TiAlNiAuX五层金属叠层结构为在GaN基HEMT器件的外延层上从下到上依次排布的Ti、Al、Ni、Au和X金属层，其中X为TiN、Ti、W或TiW中的一种以上；X金属层的厚度大于Ti、Al、Ni和Au四层金属层厚度的和；X金属层在Au金属层的上表面由所述上表面的边缘处向两侧各延伸出0.5μm-1μm，然后沿着Ti、Al、Ni和Au四层金属层的侧壁向GaN基HEMT器件的外延层延伸至所述外延层的上表面，即X金属层完全包裹Ti、Al、Ni和Au四层金属层；所述有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极的制备包括以下步骤：1利用光刻技术，在GaN基HEMT器件的外延层表面制备出源漏电极接触窗口；2在制备源漏电极前，利用等离子清洗工艺以及酸碱溶液预处理源漏电极接触窗口表面；源漏电极制备前的预处理包括在光刻完成后，利用等离子清洗设备对步骤1处理后的GaN基HEMT器件的外延层进行预打胶，浸泡酸碱溶液后再进行等离子清洗打胶处理，其中等离子清洗打胶步骤通入的气体为氧气或者氩气；3在源漏电极接触窗口依次沉积Ti金属层、Al金属层、Ni金属层、Au金属层以及X金属层；Ti金属层、Al金属层、Ni金属层和Au金属层由电子束EB沉积形成，X金属层由磁控溅射沉积形成；X金属层的沉积采用直流溅射的方式，功率为200-300W，气压为3-6mTorr，本体真空度低于3E-6Torr；Ti金属层的厚度为10nm-20nm，Al金属层的厚度为60nm-150nm，Ni金属层的厚度为10nm-20nm，Au金属层的厚度为80nm-120nm，X金属层的厚度为200nm-400nm；4金属去胶剥离后，进行整体合金退火处理。

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