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申请/专利权人：浙江力积存储科技有限公司
摘要：提供一种延时测量电路结构、测量方法，电路包括：延时器电路，输入端的一路第一信号，经过由至少两组延时电路单元的延时，最后通过第一与门输出一路第二信号；延时器输出信号检测电路，以与延时器电路输入端一致的使能信号和第一信号组合，以控制一个N型晶体管的通断，并得到至少一路输出信号检测电流，以及，根据使能信号和延时电路单元的输出，得到一路第三信号，其中，通过调整延时电路单元中的N型晶体管的栅极电压，和或P型晶体管电容的电压，以获取至少多个输出信号检测电流和所述延时时间，最终通过测量电流值以获取芯片内部延时时间，从而在芯片制版完成后，无需反复重新制版改变冗余延时器的数量，即可调整芯片内部延时。
主权项：1.一种延时测量电路结构，该延时测量电路结构用于在芯片制版完成后对芯片内部延时器的延时时间进行测量，其中，该延时测量电路结构包括：延时器电路，该延时器电路被配置为，输入端的一路第一信号，经过由至少两组延时电路单元的延时，最后通过第一与门输出一路第二信号，所述延时电路单元是由若干个第一N型晶体管并联，或P型晶体管电容并联构成的延时调整电路；延时器输出信号检测电路，该检测电路被配置为，以与所述延时器电路输入端一致的使能信号和所述第一信号组合，以控制一个第二N型晶体管的通断，并得到至少一路输出信号检测电流，以及，根据所述使能信号和所述延时电路单元的输出，得到一路第三信号，并根据所述第一信号和所述第三信号的上升沿得到所述延时器电路的延时时间，其中，通过调整所述延时电路单元中的N型晶体管的栅极电压，和或P型晶体管电容的电压，以获取至少多个所述输出信号检测电流和所述延时时间。
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百度查询： 浙江力积存储科技有限公司 延时测量电路结构、测量方法
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