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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种测量装置，包括：炉体；坩埚，坩埚内容纳有硅熔液；磁场产生结构，设置于炉体的外围，用于向坩埚处输出磁场，磁场产生结构包括远离硅熔液的第一端面；籽晶提拉结构，用于控制籽晶升降运动；第一感应结构，设置于炉体上，用于在籽晶下降经过第一位置时，发出第一信号；第二感应结构，设置于炉体上，用于在籽晶下降至第二位置时，发出第二信号，第二位置为与硅熔液液面齐平的位置；处理结构，用于根据第一信号和第二信号获取第一位置和第二位置的第二距离b，并根据第二距离b获取第一距离MP，其中MP＝a+d‑b，a为第一端面和第一位置之间的距离，d为在第一端面和磁场最强高斯面之间的距离。本发明还涉及一种测量方法。
主权项：1.一种测量装置，用于测量磁场最强高斯面与硅熔液液面在第一方向上的第一距离MP，所述第一方向为垂直于所述硅熔液液面的方向，其特征在于，所述测量装置包括：炉体；坩埚，位于所述炉体内，所述坩埚内容纳有硅熔液；磁场产生结构，设置于所述炉体的外围，用于向所述坩埚处输出磁场，在所述第一方向上，所述磁场产生结构包括远离所述硅熔液的第一端面；籽晶提拉结构，用于控制籽晶在所述第一方向进行升降运动；第一感应结构，设置于所述炉体上，且在所述第一方向上位于所述炉体的第一位置，用于在所述籽晶提拉结构控制籽晶下降经过所述第一位置时，发出第一信号；第二感应结构，设置于所述炉体上，用于在所述籽晶提拉结构控制籽晶下降至第二位置时，发出第二信号，其中，所述第二位置为与所述硅熔液液面齐平的位置；处理结构，用于根据所述第一信号和所述第二信号获取所述第一位置和所述第二位置在所述第一方向上的第二距离b，并根据所述第二距离b获取所述第一距离MP，其中MP＝a+d-b，a为在所述第一方向上所述第一端面和所述第一位置之间的距离，d为在所述第一方向上所述第一端面和磁场最强高斯面之间的距离；所述第一感应结构包括对射传感器，所述对射传感器的信号发射部和信号接收部位于所述炉体的相对的两侧；所述炉体包括主体和盖体，所述信号发射部和所述信号接收部位于所述盖体的相对的两侧。
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百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 测量装置和测量方法
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