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申请/专利权人：广东晶智光电科技有限公司
摘要：提供一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法。籽晶组件包括锑化铟籽晶和夹头，锑化铟籽晶为横截面沿长度恒定的梯形，梯形的顶边长度为底边长度的12，梯形的高度与底边的长度相同，锑化铟籽晶的籽晶方向是211，其中，用于在提拉法生长锑化铟晶体接触熔体的是211B，锑化铟籽晶的横截面的梯形的顶边方向是111A，锑化铟籽晶的横截面的梯形的底边方向是111B；夹头包括第一夹体和第二夹体，第一夹体具有收容槽，收容槽为横截面沿长度恒定的与锑化铟籽晶的横截面相同的在底边开口的梯形，第二夹体具有配合平面，配合平面封闭收容槽的梯形的开口的底边，第一夹体的材料的导热率低于第二夹体。锑化铟晶体生长的方法采用前述的籽晶组件提拉法生长锑化铟晶体。
主权项：1.一种籽晶组件，其特征在于，籽晶组件100包括锑化铟籽晶1和夹头2，锑化铟籽晶1为横截面沿长度恒定的梯形，梯形的顶边长度为底边长度的12，梯形的高度与底边的长度相同，锑化铟籽晶1的籽晶方向是211，其中，用于在提拉法生长锑化铟晶体接触熔体的是211B，锑化铟籽晶1的横截面的梯形的顶边方向是111A，锑化铟籽晶1的横截面的梯形的底边方向是111B；夹头2包括第一夹体21和第二夹体22，第一夹体21具有收容锑化铟籽晶1的收容槽211，收容槽211为横截面沿长度恒定的与锑化铟籽晶1的横截面相同的在底边开口的梯形，第二夹体22具有配合平面221，配合平面221结合第一夹体21并封闭收容槽211的梯形的开口的底边，第一夹体21和第二夹体22由导热率不同的材料制成，第一夹体21的材料的导热率低于第二夹体22的材料的导热率。
全文数据：
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