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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本申请涉及红外探测器技术领域，公开了一种高性能铟镓砷红外探测器结构，具体改进了i‑InGaAsP漂移增强层，增加了i‑InGaAsP过渡层和P‑InGaAsP过渡层，其中，i‑InGaAsP漂移增强层采用掺杂浓度缓变的形式，以保持能带缓慢过渡并连续平滑，且漂移增强层并整体器件侧面基于水平面倾斜75°～90°，以减小电场拥挤，均匀电场，减小器件暗电流；i‑InGaAsP过渡层的组分采用第一组分高斯状态缓变，形成第一高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑；P‑InGaAsP过渡层的组分采用第二组分高斯状态缓变，形成第二高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑。应用本结构一方面有较好的线性性能和较高的响度速度，另一方面有相对较小暗电流，以尽可能减小器件的暗电流，提高器件带宽、响应度等，提高器件性能并满足实际需求。
主权项：1.一种高性能铟镓砷红外探测器结构，其特征在于，所述铟镓砷红外探测器结构，包括衬底、N型InP收集层、i-InGaAsP漂移增强层、i-InGaAs吸收层、i-InGaAsP过渡层、P-InGaAs部分耗尽层、P-InGaAsP过渡层、P-InAlAs收集层和P-InGaAs接触层，其中，所述i-InGaAsP漂移增强层，生长于所述N型InP收集层和所述i-InGaAs吸收层之间，其中，所述i-InGaAsP漂移增强层采用掺杂浓度缓变的形式，以保持能带缓慢过渡并连续平滑；且所述i-InGaAsP漂移增强层及整体器件侧截面呈梯形，整体器件侧面基于水平面倾斜75。～90。；所述i-InGaAsP过渡层，生长于所述i-InGaAs吸收层和所述P-InGaAs部分耗尽层之间，其中，所述i-InGaAsP过渡层的组分，采用第一组分高斯状态缓变，形成第一高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑；所述P-InGaAsP过渡层，生长于所述P-InGaAs部分耗尽层和所述P-InAlAs收集层之间，其中，所述P-InGaAsP过渡层的组分采用第二组分高斯状态缓变，形成第二高斯缓变状态势垒层并能带连续平滑。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种高性能铟镓砷红外探测器结构
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