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申请/专利权人：北京理工大学
摘要：本发明涉及一种α相锑烯薄膜及其制备方法，该α相锑烯薄膜为具有可调功函数特性的金属材料，属于半导体晶体管技术领域。本发明的方法中，采用超高真空分子束外延的方法制备Sb110纳米带，背底真空高达10‑8Pa，保证了材料的纯净度；其次由于本发明采用的Sb源无毒无害，且使用的真空外延生长装置是一个封闭系统，制备过程较为环保。
主权项：1.一种α相锑烯薄膜，其特征在于：该薄膜由多条Sb110纳米带组成。
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百度查询： 北京理工大学 一种α相锑烯薄膜及其制备方法
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