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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种晶片堆叠方法，包括以下步骤。提供第一晶片。将第二晶片接合于第一晶片，而形成第一晶片堆叠结构。对第一晶片堆叠结构进行第一边缘缺陷检查，而找出第一边缘缺陷且测量出第一晶片堆叠结构的边缘与第一边缘缺陷的远离第一晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第一距离。从第一晶片堆叠结构的边缘进行范围为第一宽度的第一修整制作工艺，而移除第一边缘缺陷，其中第一宽度大于或等于第一距离。
主权项：1.一种晶片堆叠方法，包括：提供第一晶片；将第二晶片接合于所述第一晶片，而形成第一晶片堆叠结构；对所述第一晶片堆叠结构进行第一边缘缺陷检查，而找出第一边缘缺陷且测量出所述第一晶片堆叠结构的边缘与所述第一边缘缺陷的远离所述第一晶片堆叠结构的边缘的一端在径向上的第一距离；以及从所述第一晶片堆叠结构的边缘进行范围为第一宽度的第一修整制作工艺，而移除所述第一边缘缺陷，其中所述第一宽度大于或等于所述第一距离。
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权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 晶片堆叠方法
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