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申请/专利权人：富士通光器件株式会社
摘要：本公开涉及光调制器元件、光发射器以及光收发器。光调制器元件包括肋光波导、第一薄膜、第一高浓度掺杂区和第一金属电极。该肋光波导包括具有PN结的肋部、连接到该肋部的P型区的P型平板区、以及连接到该肋部的N型区的N型平板区。第一薄膜形成在P型平板区上，并且第一薄膜的电子亲和能不同于用于P型平板区的材料的电子亲和能。第一高浓度掺杂区是P型平板区中的区域，该区域位于与肋部分离的位置处。第一金属电极电连接到第一高浓度掺杂区，第一高浓度掺杂区位于在P型平板区上形成有第一薄膜的P型平板区的外侧。
主权项：1.一种光调制器元件，所述光调制器元件包括：肋光波导，所述肋光波导包括具有PN结的肋部、连接到所述肋部的P型区的P型平板区、以及连接到所述肋部的N型区的N型平板区；第一薄膜，所述第一薄膜形成在所述P型平板区上并且所述第一薄膜的电子亲和能不同于用于所述P型平板区的材料的电子亲和能；所述P型平板区中的第一高浓度掺杂区，所述第一高浓度掺杂区位于与所述肋部分离的位置处；以及第一金属电极，所述第一金属电极电连接至所述第一高浓度掺杂区，所述第一高浓度掺杂区位于在所述P型平板区上形成有所述第一薄膜的所述P型平板区的外侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士通光器件株式会社 光调制器元件、光发射器以及光收发器
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