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申请/专利权人：扬州大学
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法；本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，激光器的主体包括依次设有欧姆接触层、钝化层、P型分布布拉格反射镜组层、包层、有源区层、氧化限制层、N型分布布拉格反射镜组层、缓冲层、AlAs层和GaAs衬底层；本发明通过制备激光器主体、清洗、光刻、制备间隔槽、氧化限制层与钝化层、制备第一P型金属电极与第一N型金属电极、填充间隔槽、制备第二P型金属电极与第二N型金属电极、刻蚀GaAs衬底层并制备发光孔得到垂直腔面发射激光器；本发明解决了现有技术中单个芯片体积大、出光孔易污染及阈值大的问题，本发明具有工艺简单、重复性好、成品率高的优点。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括主体，所述主体上依次设有欧姆接触层1、钝化层2、P型分布布拉格反射镜组层3、包层4、有源区层5、氧化限制层6、N型分布布拉格反射镜组层7、缓冲层8、AlAs层9和GaAs衬底层10；所述激光器的主体设置有间隔槽11；所述间隔槽11中填充有PI胶；所述激光器的主体中一侧设置有第一P型电极12、第二P型电极13和第二N型电极14；所述间隔槽11底部设置有第一N型电极15；所述激光器的主体另一侧设置有发光孔16。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州大学 垂直腔面发射激光器及其制备方法
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