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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽器件的制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，衬底中设有第一沟槽、部分填充第一沟槽的第一介质层及嵌设于第一介质层内的屏蔽电极，屏蔽电极的顶部凸出于第一介质层表面；去除部分厚度的屏蔽电极，使剩余的屏蔽电极的顶部低于第一介质层的表面，且与第一介质层构成凹槽；形成多晶硅层顺形地覆盖衬底的表面及第一沟槽的内壁，并填充凹槽；执行氧化工艺，使多晶硅层形成为第一氧化层；采用各向同性刻蚀去除部分厚度的第一氧化层以暴露第一沟槽上部的侧壁，并以剩余的第一氧化层作为栅间氧化层；在第一沟槽的栅间氧化层上形成栅极结构。本发明可提高屏蔽栅沟槽功率的性能。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中设有第一沟槽、部分填充所述第一沟槽的第一介质层及嵌设于所述第一介质层内的屏蔽电极，所述屏蔽电极的顶部凸出于所述第一介质层表面；去除部分厚度的所述屏蔽电极，使剩余的所述屏蔽电极的顶部低于所述第一介质层的表面，且与所述第一介质层构成凹槽；形成多晶硅层顺形地覆盖所述衬底的表面及所述第一沟槽的内壁，并填充所述凹槽；执行氧化工艺，使所述多晶硅层形成为第一氧化层；采用各向同性刻蚀去除部分厚度的所述第一氧化层以暴露所述第一沟槽上部的侧壁，并以剩余的所述第一氧化层作为栅间氧化层；在所述第一沟槽的栅间氧化层上形成栅极结构。
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权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 屏蔽栅沟槽器件的制造方法
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