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自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法 

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申请/专利权人:华羿微电子股份有限公司

摘要:一种自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法,透过在半导体基板的表面上制备一个多层屏蔽,再形成图案制备所须的栅极沟槽;且透过非等向蚀刻,露出该底部氧化层的部分表面,形成在前述栅极沟槽中的栅极电极,且在氮化层的两侧形成侧边多晶硅层,且底部氧化层上方的表面部分外露;利用前述外露处进行本体注入,及构成源极区;然后,沉积氧化物层在所述栅极电极上方,去除前述氮化层,利用此外露部分,在底部氧化层的下方附近形成接触区,再对前述底部氧化层外露处进行接触点槽的蚀刻,在所述接触点槽内形成导电接触头,且所述导电接触头电性连接前述本体区内的源极区,最后,在半导体基板上方沉积一个金属层,完成自对准的沟槽式场效应晶体管的制备。

主权项:1.一种自对准的沟槽式场效应晶体管的制备方法,其特征在于,该方法包含:在半导体基板的表面上制备一个多层屏蔽,该多层屏蔽包含从底部到顶部的一底部氧化层、一氮化层和一顶部氧化层;且对多层屏蔽形成图案,制备所须的栅极沟槽在半导体基板内;透过非等向蚀刻,使该多层屏蔽的中间层的氮化层部分被除去,露出该底部氧化层的部分表面,再去除所述顶部氧化层;形成在前述栅极沟槽中的栅极电极,且在所述底部氧化层上方外露的表面处,所述氮化层的两侧形成侧边多晶硅层,且所述底部氧化层上方的表面还是有部分外露;利用前述底部氧化层上方部分外露处进行本体注入和扩散,形成于前述栅极沟槽间的本体区;利用前述底部氧化层上方部分外露处进行源极注入和扩散,在本体区内的上部区两端构成源极区;沉积氧化物层在所述栅极电极上方;去除前述氮化层,使原在所述氮化层下方的底部氧化层外露,且利用此外露部分,藉由离子深入注入技术在所述底部氧化层的下方附近形成接触区;该接触区接触连接前述在本体区内两端的源极区,使源极区和本体区之间接触;对前述底部氧化层外露处进行接触点槽的蚀刻,且蚀刻到半导体基板的硅表面后再进行浅蚀刻;在所述接触点槽内形成导电接触头,且所述导电接触头电性连接前述本体区内的源极区。

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权利要求:

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