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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：一种自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法，透过在半导体基板的表面上制备一个多层屏蔽，再形成图案制备所须的栅极沟槽；且透过非等向蚀刻，露出该底部氧化层的部分表面，形成在前述栅极沟槽中的栅极电极，且在氮化层的两侧形成侧边多晶硅层，且底部氧化层上方的表面部分外露；利用前述外露处进行本体注入，及构成源极区；然后，沉积氧化物层在所述栅极电极上方，去除前述氮化层，利用此外露部分，在底部氧化层的下方附近形成接触区，再对前述底部氧化层外露处进行接触点槽的蚀刻，在所述接触点槽内形成导电接触头，且所述导电接触头电性连接前述本体区内的源极区，最后，在半导体基板上方沉积一个金属层，完成自对准的沟槽式场效应晶体管的制备。
主权项：1.一种自对准的沟槽式场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包含：在半导体基板的表面上制备一个多层屏蔽，该多层屏蔽包含从底部到顶部的一底部氧化层、一氮化层和一顶部氧化层；且对多层屏蔽形成图案，制备所须的栅极沟槽在半导体基板内；透过非等向蚀刻，使该多层屏蔽的中间层的氮化层部分被除去，露出该底部氧化层的部分表面，再去除所述顶部氧化层；形成在前述栅极沟槽中的栅极电极，且在所述底部氧化层上方外露的表面处，所述氮化层的两侧形成侧边多晶硅层，且所述底部氧化层上方的表面还是有部分外露；利用前述底部氧化层上方部分外露处进行本体注入和扩散，形成于前述栅极沟槽间的本体区；利用前述底部氧化层上方部分外露处进行源极注入和扩散，在本体区内的上部区两端构成源极区；沉积氧化物层在所述栅极电极上方；去除前述氮化层，使原在所述氮化层下方的底部氧化层外露，且利用此外露部分，藉由离子深入注入技术在所述底部氧化层的下方附近形成接触区；该接触区接触连接前述在本体区内两端的源极区，使源极区和本体区之间接触；对前述底部氧化层外露处进行接触点槽的蚀刻，且蚀刻到半导体基板的硅表面后再进行浅蚀刻；在所述接触点槽内形成导电接触头，且所述导电接触头电性连接前述本体区内的源极区。
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