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申请/专利权人：江南大学
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒调制的多态存储器及其制备方法与应用，方法包括如下步骤：在衬底的同一表面刻蚀两个电极区域；在所述电极区域蒸镀底部电极，所述底部电极的厚度与所述电极区域的深度一致；通过PDMS干法转移将ReS2薄膜转移到所述底部电极上，得到所述多态存储器。本发明基于肖特基势垒调控实现光电可编程ReS2存储器制备，实现了大的肖特基势垒调制，有效的抑制了光生电子和空穴重新再复合和氧气修复，易于存储状态的稳定及更长时间的保持；不同的激光强度时间或者不同的激光脉冲次数刺激后分别对应了不同的电导值，通过调制光脉冲强度和宽度，实现多个存储状态，且每一个状态区分度大，可以实现有效的多位存储。
主权项：1.一种肖特基势垒调制的多态存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在衬底的同一表面刻蚀两个电极区域；S2、在所述电极区域蒸镀底部电极，所述底部电极的厚度与所述电极区域的深度一致；S3、通过PDMS干法转移将ReS2薄膜转移到所述底部电极上，得到底部水平电极ReS2存储器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江南大学 一种肖特基势垒调制的多态存储器及其制备方法与应用
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