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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种存储器元件以及该存储器元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底，界定有一主动区并包括一隔离层，该隔离层围绕该主动区；移除该半导体基底的多个部分以形成多个鳍片，该多个鳍片从该半导体基底突伸；形成一氧化层以围绕每一个鳍片，借此形成每一个鳍片的一圆形表面；形成一导电组件以围绕该多个鳍片并被该氧化层所围绕；形成一氮化层在该导电组件上并被该氧化层所围绕；以及移除该氧化层的多个部分与该多个鳍片的各圆形表面，借此形成每一个鳍片的一平坦上表面。
主权项：1.一种存储器元件的制备方法，包括：提供一半导体基底，界定有一主动区并包括一隔离层，该隔离层围绕该主动区；移除该半导体基底的多个部分以形成多个鳍片，该多个鳍片从该半导体基底突伸；形成一氧化层以围绕每一个鳍片，借此形成每一个鳍片的一圆形表面；形成一导电组件以围绕该多个鳍片并被该氧化层所围绕；形成一氮化层在该导电组件上并被该氧化层所围绕；以及移除该氧化层的多个部分与该多个鳍片的各圆形表面，借此形成每一个鳍片的一平坦上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有平坦化鳍片的存储器元件及其制备方法
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