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具有子鳍状物隔离的集成电路结构 

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申请/专利权人:英特尔公司

摘要:本公开描述了具有子鳍状物隔离的集成电路结构以及制造具有子鳍状物隔离的集成电路结构的方法。例如,一种集成电路结构包括沟道结构以及位于该沟道结构之上的氧化物子鳍状物结构,该氧化物子鳍状物结构包括硅、氧和铝。

主权项:1.一种制造集成电路结构的方法,所述方法包括:在半导体子鳍状物结构之上形成沟道结构;显露所述子鳍状物结构的背面;在所述子鳍状物结构的所述背面上形成氧化催化剂层;以及对所述氧化催化剂层进行退火,以由所述半导体子鳍状物结构形成氧化子鳍状物结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 英特尔公司 具有子鳍状物隔离的集成电路结构

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