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申请/专利权人:青岛华芯晶电科技有限公司;青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种用于磷化铟晶片自动清洗用喷淋控制系统及方法,该方法的步骤包括:基于晶片表面缺陷图像评估晶片易损性,得到晶片易损系数;基于晶片表面污染物颗粒信息评估晶片污染程度,得到晶片污染系数;基于所述晶片易损系数和所述晶片污染系数确定最佳喷淋压力;基于所述最佳喷淋压力对喷淋装置进行控制,完成晶片清洗。本发明通过量化晶片易损性和晶片污染程度并针对性地控制喷淋压力,在保证晶片清洗效果的同时减少了晶片损伤。
主权项:1.一种用于磷化铟晶片自动清洗用喷淋控制方法,其特征在于,包括下述步骤:基于晶片表面缺陷图像评估晶片易损性,得到晶片易损系数;基于晶片表面污染物颗粒信息评估晶片污染程度,得到晶片污染系数;基于所述晶片易损系数和所述晶片污染系数确定最佳喷淋压力;基于所述最佳喷淋压力对喷淋装置进行控制,完成晶片清洗。
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