龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：苏州燎塬半导体有限公司
摘要：本发明提供一种氧化镓单晶片的制备方法，包括：提供氧化镓单晶块；对氧化镓单晶块进行解理，以得到块状的解理结构，解理结构包括解理面和与解理面相对的初始减薄面；以解理面为基准对初始减薄面进行减薄，使初始减薄面形成减薄面，减薄面与解理面平行；形成减薄面之后，以解理面为基准对解理结构进行切割，以得到具有切割面的氧化镓单晶片，切割面平行于解理面。上述制备方法利用氧化镓单晶体易沿着100晶面解理的特点，在不需要通过X射线定向的前提下，获得了具有较小偏角的100氧化镓单晶片，且上述制备方法可重复性高，有利于进行工业化生产。
主权项：1.一种氧化镓单晶片的制备方法，其特征在于，所述氧化镓单晶片的制备方法包括一种定向方法，所述定向方法包括：提供氧化镓单晶块，所述氧化镓单晶块的一个表面偏角大于3°，所述氧化镓单晶块的厚度小于等于6mm，所述氧化镓单晶块由导模法制备；对所述氧化镓单晶块进行解理，通过尖锐的刀具敲击氧化镓单晶块以得到块状的解理结构，所述解理结构包括解理面和与所述解理面相对的初始减薄面；以所述解理面为基准对所述初始减薄面进行减薄，使所述初始减薄面形成减薄面，所述减薄面与所述解理面平行；形成所述减薄面之后，以所述解理面为基准对所述解理结构进行切割，以得到具有切割面的氧化镓单晶片，所述切割面平行于所述解理面；还包括：对所述具有切割面的氧化镓单晶片进行研磨、抛光，得到氧化镓单晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州燎塬半导体有限公司 一种氧化镓单晶片的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号