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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，具体是一种磷化铟单晶的制备方法。本发明提供的制备方法，通过在长晶炉内部底部和顶部各放置两块磁体以产生磁场来控制炉子的温场稳定，确保了熔体的热稳定性；通过通入保护气体保持石英管内部压力平衡，同时不需加入单质红磷，石英管也不用完全密封，石英管底部和顶部都有气阀控制石英管内部气体压力；最终进行垂直梯度冷凝生长得到位错密度低的磷化铟单晶，成晶率高。试验表明，本发明所述制备方法成功制备得到头部EPD低至1000cm2和尾部EPD低至1500cm2的磷化铟单晶，成晶率高达38%。
主权项：1.一种磷化铟单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在含保护气体的氛围下，将磷化铟单晶籽晶在磷化铟多晶熔融液中进行垂直梯度冷凝生长，得到磷化铟单晶；所述磷化铟单晶籽晶的上方和下方分别设置有2个以不同的磁极相对成90°~100°夹角的磁体；所述磁体的磁场强度为2~5特斯拉。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种磷化铟单晶的制备方法
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