龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司
摘要：本发明提供了一种芯片及其制备方法，涉及半导体激光器的技术领域，芯片包括：半导体层结构、第一电极、第二电极和介质层，半导体层结构包括自上而下依次设置的欧姆接触层和P型包层，欧姆接触层的掺杂浓度高于P型包层的掺杂浓度；欧姆接触层的面积小于P型包层的面积，以使P型包层的上表面的一部分没有被欧姆接触层覆盖；第一电极与欧姆接触层连接，第一电极和欧姆接触层之间的接触电阻为Rc1；第二电极与P型包层中没有被欧姆接触层覆盖的部分连接,第二电极和P型包层中没有被欧姆接触层覆盖的部分之间的接触电阻为Rc2，Rc2大于Rc1；介质层与欧姆接触层连接；且横向上，介质层位于第一电极和第二电极之间。
主权项：1.一种芯片，其特征在于，包括：半导体层结构，所述半导体层结构包括自上而下依次设置的欧姆接触层（7）和P型包层（6），所述欧姆接触层（7）的掺杂浓度高于所述P型包层（6）的掺杂浓度；所述欧姆接触层（7）的面积小于所述P型包层（6）的面积，以使所述P型包层（6）的上表面的一部分没有被所述欧姆接触层（7）覆盖；第一电极（8），所述第一电极（8）与所述欧姆接触层（7）连接，所述第一电极（8）和所述欧姆接触层（7）之间的接触电阻为Rc1；第二电极（9），所述第二电极（9）与所述P型包层（6）中没有被所述欧姆接触层（7）覆盖的部分连接,所述第二电极（9）和所述P型包层（6）中没有被所述欧姆接触层（7）覆盖的部分之间的接触电阻为Rc2，Rc2大于Rc1；介质层（10），所述介质层（10）与所述欧姆接触层（7）连接；所述介质层（10）位于所述第一电极（8）和第二电极（9）之间，以使所述第二电极（9）与所述第一电极（8）间隔设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 苏州度亘垂腔芯片技术有限公司 芯片及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号