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申请/专利权人：力特保险丝公司
摘要：公开了一种反向阻断绝缘栅双极晶体管。还公开了一种用于制造反向阻断绝缘栅双极晶体管和相关结构的方法。提供并键合第一硅晶圆基片和第二硅晶圆基片。在第一硅晶圆基片中形成一个或多个分离扩散区域。在第一硅晶圆基片的顶表面上形成一个或多个正面金属氧化物半导体MOS结构。去除第二硅晶圆基片层。在第一硅晶圆基片的底表面上形成接触扩散层。在接触扩散层的底表面上形成背面金属化层。
主权项：1.一种方法，包括：提供第一硅晶圆基片和第二硅晶圆基片；键合所述第一硅晶圆基片和所述第二硅晶圆基片；在所述第一硅晶圆基片中形成一个或多个分离扩散区域；在所述第一硅晶圆基片的顶表面上形成一个或多个正面金属氧化物半导体MOS结构；去除所述第二硅晶圆基片；在所述第一硅晶圆基片的底表面上形成接触扩散层；以及在所述接触扩散层的底表面上形成背面金属化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力特保险丝公司 反向阻断绝缘栅双极晶体管
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