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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
摘要：本公开实施例公开了一种制造大直径硅单晶的拉晶方法、系统单晶硅及存储介质，方法可以包括：对拉晶过程进行全局二维模拟，获取在预设拉晶装置模型和预设拉晶参数下拉晶过程中的全局温度分布、速度场分布以及初始固液界面值；根据全局温度分布和速度场分布确定边界条件，并基于边界条件对拉晶过程进行局部三维模拟确定目标固液界面值；调整预设拉晶参数，直至初始固液界面值与目标固液界面值在阈值范围内相等，并将调整后的预设拉晶参数作为参考拉晶参数；根据参考拉晶参数模拟计算拉晶过程中的模拟缺陷；根据模拟缺陷迭代优化参考拉晶参数，直至模拟缺陷满足预设条件，并将优化后的参考拉晶参数作为目标拉晶参数，并制造无缺陷硅单晶。
主权项：1.一种制造大直径硅单晶的拉晶方法，其特征在于，包括：对拉晶过程进行全局二维模拟，获取在预设拉晶装置模型和预设拉晶参数下拉晶过程中的全局温度分布、速度场分布以及初始固液界面值；根据所述全局温度分布和所述速度场分布确定边界条件，并基于所述边界条件对所述拉晶过程进行局部三维模拟，确定目标固液界面值；在全局二维模拟中，调整所述预设拉晶参数，直至所述初始固液界面值与所述目标固液界面值在阈值范围内相等，并将所述调整后的预设拉晶参数作为参考拉晶参数；根据所述参考拉晶参数模拟计算所述拉晶过程中的模拟缺陷；根据所述模拟缺陷迭代优化所述参考拉晶参数，直至所述模拟缺陷满足预设条件，并将所述优化后的参考拉晶参数作为目标拉晶参数；使用所述目标拉晶参数制造无缺陷硅单晶，所述目标拉晶参数包括热场参数和拉晶工艺参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 制造大直径硅单晶的拉晶方法、系统、硅单晶及介质
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