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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种光掩模结构的设计方法，包括以下步骤。提供第一布局图案。在第一布局图案旁加入辅助图案。进行光学邻近修正，而将第一布局图案转变成第二布局图案，其中辅助图案具有邻近于第二布局图案的相邻部，相邻部与第二布局图案之间的第一距离小于安全距离，且安全距离为在光刻制作工艺中防止辅助图案被转印至光致抗蚀剂层的距离。在进行光学邻近修正之后，将相邻部进行偏移，而将第一距离加大至第二距离，其中第二距离大于或等于安全距离。
主权项：1.一种光掩模结构的设计方法，包括：提供第一布局图案；在所述第一布局图案旁加入辅助图案；进行光学邻近修正，而将所述第一布局图案转变成第二布局图案，其中所述辅助图案具有邻近于所述第二布局图案的相邻部，所述相邻部与所述第二布局图案之间的第一距离小于安全距离，且所述安全距离为在光刻制作工艺中防止所述辅助图案被转印至光致抗蚀剂层的距离；以及在进行所述光学邻近修正之后，将所述相邻部进行偏移，而将所述第一距离加大至第二距离，其中所述第二距离大于或等于所述安全距离。
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权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 光掩模结构的设计方法
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