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申请/专利权人：讯忆科技股份有限公司

摘要：本发明提供一种具有六面式保护层的晶片封装结构及其制造方法，其利用第一、第二、第三保护层分别遮覆在一矩形晶片的第一、第二表面及四个侧表面上，矩形晶片是由一晶圆凭借分割道分割形成，晶圆的第一面上设有第一保护层、多个矩形晶片及多条凹槽，该多条凹槽可利用第一保护层的绝缘材同时填满以形成各分割道；该晶圆是由其第二面进行研磨以显露出各矩形晶片的第二表面及各分割道的底面供用以形成第二保护层；其中各分割道的宽度是大于分割耗损宽度，使各分割道在分割之后能在二相邻的矩形晶片的二相对的侧表面上分别保留一剩余宽度供作为第三保护层。

主权项：1.一种具有六面式保护层的晶片封装结构，其特征是包含：一矩形晶片，其具有六表面包含：一第一表面其上设有多个焊垫、一相对该第一表面的第二表面、及四个侧表面分别环绕设在该矩形晶片的侧边上且分别延伸在该第一表面与该第二表面之间；其中在该第一表面的各焊垫上分别对应设有一具有适当高度的凸块；该矩形晶片由一晶圆分割形成，该晶圆的第一面上成型设有多个形成阵列排列的矩形晶片及多条分割道，并使二相邻的矩形晶片之间各设有一分割道；其中各矩形晶片的厚度与各分割道的深度相等且都小于该晶圆的厚度；一第一保护层，其设在各矩形晶片的第一表面上，且该第一保护层上设有多个开口供分别对应显露各凸块；一第二保护层，其设在各矩形晶片的第二表面上；及一第三保护层，其一体地设在该四个侧表面上，使该第三保护层能与该第一保护层及该第二保护层结合构成一体的六面式保护层供用来包覆并保护该矩形晶片所具有的六个表面；其中各分割道的形成是先在该晶圆的第一面上预设多条对应于各分割道的凹槽，各凹槽的深度小于该晶圆的厚度且等于各矩形晶片的厚度，再利用绝缘材填满各凹槽以形成各分割道；其中该晶圆的厚度大于各矩形晶片的厚度或各分割道的深度，因此该晶圆的厚度与各矩形晶片的厚度或各分割道的深度之间会产生一厚度差，其中该晶圆是由该晶圆的第二面进行研磨以去除该厚度差以显露出各矩形晶片的第二表面及各分割道的底面且位于同一平面上，之后再在该晶圆的研磨后的同一平面上形成该第二保护层，如此使该第二保护层形成于各矩形晶片的第二表面上，且各分割道是位于该第一保护层与该第二保护层之间并与该第一保护层及该第二保护层连结成一体；其中各分割道的宽度大于分割时的分割耗损宽度，并使该分割耗损宽度位于或靠近于该分割道宽度的中间处，如此在分割完成时，各分割道的宽度在减去其对应的分割耗损宽度之后，能在二相邻的矩形晶片的二相对的侧表面上分别保留一剩余宽度作为各侧表面的第三保护层，如此使分割后的各矩形晶片具有一由该第三保护层、该第一保护层及该第二保护层所结合构成的一体的六面式保护层供用来包覆并保护各矩形晶片所具有的六个表面。

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