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申请/专利权人：胜高股份有限公司
摘要：一种在进行多站式处理的情况下能够使外延晶片的品质稳定的外延晶片的制造方法和装置。具有：具有石英制的上侧拱顶12的单片式的外延生长炉1、载置晶片W的承载器16、向外延生长炉的腔11内供给反应气体或清洗气体的气体供给系统3、加热腔内的卤素灯15、检测晶片的表面的温度的红外线放射温度传感器4、和控制加热器的输出以使得检测到的温度为规定温度范围且控制气体供给系统的控制器5；控制器将结束清洗处理后直到将第一次的晶片投入腔内为止的待机时间设定为加热器的输出的变动率落入规定范围的时间，直到结束清洗处理后的时间到达待机时间为止，禁止第一次的晶片的投入。
主权项：1.一种外延晶片的制造方法，向在上部设置有石英制上侧拱顶的外延生长炉的腔内每次一张地投入晶片，通过非接触式温度传感器测定前述晶片的表面的温度，同时控制对前述腔内进行加热的加热器的输出，以使该测量到的温度变为规定温度范围，向前述腔内供给反应气体，同时在前述晶片的表面上令外延层气相生长，连续实施多次外延生长处理后，实施一次去除在前述腔内沉积的沉积物的清洗处理，在所述外延晶片的制造方法中，关于将结束前述清洗处理后直到将第一次的晶片投入前述腔内为止的待机时间，预先求出结束前述清洗处理后实施第一次的外延生长处理时的前述上侧拱顶的温度和实施第二次以后的外延生长处理时的前述上侧拱顶的温度的变动率落入规定范围的前述待机时间的范围，将结束前述清洗处理后直到将第一次的晶片投入前述腔内为止的待机时间设定为落入前述规定范围的前述待机时间，实施外延生长处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 胜高股份有限公司 外延晶片的制造方法及装置
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