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申请/专利权人：日月新半导体(昆山)有限公司
摘要：本发明公开了集成电路晶凸块重工技术领域的一种保护集成电路晶凸块重工的方法，包括如下具体步骤：S1：在晶圆表面涂布一层的正性光刻胶，用来保护IC线路；S2：通过电浆轰击去除凸块或柱体表面的光刻胶；S3：蚀刻药液去除凸块或柱体，因为IC线路有光刻胶的保护可以完全避免蚀刻药液对线路的损伤；S4：去除金属阻挡层；S5：通过丙酮去光刻胶，丙酮对IC线路不会造成损伤。本发明所提出的重工方式，可以完全防止重工流程中药液对IC线路及Pad腐蚀，保证重工的安全性，可应用与所有后道凸块封装领域。
主权项：1.一种保护集成电路晶凸块重工的方法，其特征在于：包括如下具体步骤：S1：在晶圆表面涂布一层的正性光刻胶，用来保护IC线路；S2：通过电浆轰击去除凸块或柱体表面的光刻胶；S3：蚀刻药液去除凸块或柱体，因为IC线路有光刻胶的保护可以完全避免蚀刻药液对线路的损伤；S4：去除金属阻挡层；S5：通过丙酮去光刻胶，丙酮对IC线路不会造成损伤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月新半导体(昆山)有限公司 一种保护集成电路晶凸块重工的方法
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