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申请/专利权人：正泰新能科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种晶硅电池电极制备方法及晶硅电池结构，应用于光伏电池领域，晶硅电池电极制备方法包括：提供未制作金属电极的晶硅电池预制片，在晶硅电池预制片的预设金属电极区域进行开槽处理，形成开槽区域，在开槽区域制备第一预设厚度的第一阻挡层，并对第一阻挡层进行烧结处理，得到烧结阻挡层，在烧结阻挡层的表面制备第二预设厚度的第二阻挡层，第二阻挡层的厚度大于烧结阻挡层的厚度，在第二阻挡层的表面制备金属导电层，完成晶硅电池电极的制备。本发明根据需要形成的烧结阻挡层的厚度，先制备对应厚度的阻挡层，并进行烧结处理，使后续制备的剩余厚度的阻挡层不受烧结处理的影响，提高了烧结阻挡层厚度的精准性，降低制备复杂度。
主权项：1.一种晶硅电池电极制备方法，其特征在于，包括：提供未制作金属电极的晶硅电池预制片，在所述晶硅电池预制片的预设金属电极区域进行开槽处理，形成开槽区域；在所述开槽区域制备第一预设厚度的第一阻挡层，并对所述第一阻挡层进行烧结处理，得到烧结阻挡层；所述第一预设厚度为阻挡层需要进行烧结处理的厚度；所述第一阻挡层全部为需要进行烧结处理的阻挡层；在所述烧结阻挡层的表面制备第二预设厚度的第二阻挡层；所述第二阻挡层的厚度大于所述烧结阻挡层的厚度；在所述第二阻挡层的表面制备金属导电层，完成所述晶硅电池电极的制备；所述烧结阻挡层为镍硅合金阻挡层，所述第二阻挡层为镍阻挡层；所述镍硅合金阻挡层的厚度为5纳米至500纳米，且所述镍硅合金阻挡层与所述镍阻挡层的总厚度大于或等于200纳米。
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