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申请/专利权人：苏州苏纳光电有限公司
摘要：本发明公开了一种晶圆环切方法，包括：提供晶圆，晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面；对晶圆的第一表面进行TAIKO减薄，以使晶圆的第一表面中间内凹，边缘形成支撑环；在晶圆的第二表面上形成胶层；去除晶圆第二表面边缘的胶层，以暴露出第二表面边缘，被暴露的第二表面边缘的宽度大于或等于支撑环的宽度；等离子刻蚀被暴露的第二表面边缘以及胶层，以去除晶圆支撑环；去除晶圆第二表面上的残留胶层。本申请的晶圆环切方法，利用等离子体干法刻蚀的原理进行晶圆环切，并通过形成胶层进行保护，能够取代激光切割，优化产品工艺流程，能极大地降低晶圆翘曲或者裂纹破片等问题，提高加工良率。
主权项：1.一种晶圆环切方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面；对所述晶圆的第一表面进行TAIKO减薄，以使所述晶圆的第一表面中间内凹，边缘形成支撑环；在所述晶圆的第二表面上形成胶层；去除所述晶圆第二表面边缘的胶层，以暴露出所述第二表面边缘，被暴露的第二表面边缘的宽度大于或等于所述支撑环的宽度；等离子刻蚀被暴露的第二表面边缘以及所述胶层，以去除所述晶圆支撑环；去除所述晶圆第二表面上的残留胶层。
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权利要求：
百度查询： 苏州苏纳光电有限公司 晶圆环切方法
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