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申请/专利权人：重庆邮电大学

摘要：本发明涉及一种具有S型折叠沟道的TripleRESURFLDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括衬底、漂移区、P‑well、折叠P‑well、P埋层、折叠漂移区、折叠1沟道、折叠2沟道、折叠3沟道、折叠4沟道、折叠5沟道、漏极N+区、源极P+区、折叠源极N+区、平面栅极、表面栅氧化层以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明所述的S型折叠沟道使得器件在正向导通时，导电沟道反型层呈现S型折叠状，扩大了沟道的宽度，提升了电子注入的能力，同时，TripleRESURF技术中的P埋层能够优化移区电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进一步降低了该器件的比导通电阻。

主权项：1.一种具有S型折叠沟道的TripleRESURFLDMOS器件，其特征在于：包括：衬底7；漂移区11，形成于所述衬底7内部；P-well6形成于所述漂移区11表面，且与所述P埋层10和折叠P-well5接触；P埋层10形成于所述漂移区11中，且与所述折叠漂移区9以及折叠P-well5接触；折叠P-well5形成于所述P-well6表面，且与所述折叠源极N+区4和折叠漂移区9接触；折叠漂移区9形成于所述P埋层10以及漂移区11表面，且与所述折叠P-well5接触；漏极N+区8，形成于所述折叠漂移区9中；源极P+区2，形成于所述折叠P-well6表面；折叠源极N+区4，形成于所述P-well6表面，与所述源极P+区2和折叠P-well5接触，且通过折叠P-well5与所述折叠漂移区9相隔；折叠1沟道12，形成于所述折叠漂移区9的上表面，与所述折叠P-well5的下表面接触；折叠2沟道13，形成于所述折叠漂移区9的左表面，与所述折叠P-well5的右表面接触；折叠3沟道14，形成于所述折叠漂移区9的下表面，与所述折叠P-well5的上表面接触；折叠4沟道15，形成于所述折叠漂移区9的右表面，与所述折叠P-well5的左表面接触；折叠5沟道16，形成于所述折叠漂移区9的上表面，与所述折叠P-well5的下表面接触；表面栅氧化层3，形成于所述折叠源极N+区4、折叠P-well5以及折叠漂移区9的表面；平面栅极1，形成于所述表面栅氧化层3表面；以及金属电极，包括在所述源极P+区2和部分折叠源极N+区4表面形成的源极金属电极，在所述平面栅极1表面形成的栅极金属电极，以及在所述漏极N+区8表面形成的漏极金属电极。

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百度查询： 重庆邮电大学 一种具有S型折叠沟道的Triple RESURF LDMOS器件