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申请/专利权人：清华大学
摘要：本公开提供了具有C形沟道的竖直晶体管及其制造方法。该竖直晶体管包括：在衬底上方在竖直方向上依次设置的源极、栅极和漏极，源极、栅极和漏极均具有中心设置有孔的板形状，源极和漏极的孔的面积小于栅极的孔的面积；在栅极的孔的内壁上形成的栅介质，栅介质在竖直方向上具有开口向内的C形剖面；以及在竖直方向上沿源极的孔的内壁、栅介质的开口和漏极的孔的内壁延伸的半导体材料层，半导体材料层的沿开口的部分形成C形沟道。根据本公开的具有C形沟道的竖直晶体管及其制造方法，可以在晶体管中实现独立的源极和漏极接触，使得不仅可以降低光刻成本，而且可以避免后续的工艺步骤对先前形成的晶体管层性能的影响。
主权项：1.一种具有C形沟道的竖直晶体管，包括：在衬底上方在竖直方向上依次设置的源极、栅极和漏极，所述源极、所述栅极和所述漏极均具有中心设置有孔的板形状，所述源极和所述漏极的孔的面积小于所述栅极的孔的面积；在所述栅极的孔的内壁上形成的栅介质，所述栅介质在所述竖直方向上具有开口向内的C形剖面；以及在所述竖直方向上沿所述源极的孔的内壁、所述栅介质的开口和所述漏极的孔的内壁延伸的半导体材料层，所述半导体材料层的沿所述开口的部分形成所述C形沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 具有C形沟道的竖直晶体管及其制造方法
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