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申请/专利权人：大庆溢泰半导体材料有限公司
摘要：一种磷化铟多晶合成的系统及方法，涉及多晶合成技术领域，包括高压腔体、加热体和石英管，石英管和加热体都位于高压腔体内，加热体位于石英管的外侧，加热体具有高温区和低温区，石英管内的一端放置用于盛放红磷的石英舟，石英管内的另一端放置用于盛放铟的石英舟，除加热体和石英管以外的高压腔体的内容积等于石英管的内容积，高压腔体内放置红磷，高压腔体内红磷的量与石英管内红磷的量相同，高压腔体内的红磷和石英管内的红磷都位于加热体的低温区。本发明极大的确保了石英管内外磷的P2和P4两种形式的转化情况高度一致，进而确保石英管内外压差维持在合理的范围内，确保石英管不会炸管。
主权项：1.一种磷化铟多晶合成的系统，包括高压腔体（1）、加热体（2）和石英管（5），石英管（5）和加热体（2）都位于高压腔体（1）内，加热体（2）位于石英管（5）的外侧，加热体（2）具有高温区和低温区，石英管（5）内的一端放置用于盛放红磷的石英舟，石英管（5）内的另一端放置用于盛放铟的石英舟，其特征在于：除加热体（2）和石英管（5）以外的高压腔体（1）的内容积等于石英管（5）的内容积，高压腔体（1）内放置红磷，高压腔体（1）内红磷的量与石英管（5）内红磷的量相同，高压腔体（1）内的红磷和石英管（5）内的红磷都位于加热体（2）的低温区，高压腔体（1）连接有出气管路（6），出气管路（6）上设置有用于调节出气量的阀门。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大庆溢泰半导体材料有限公司 一种磷化铟多晶合成的系统及方法
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