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冷氢化设备和多晶硅制备系统 

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申请/专利权人:华陆工程科技有限责任公司

摘要:本申请提供一种冷氢化设备和多晶硅制备系统,涉及多晶硅制备技术领域,以解决相关技术中不能较好控制冷氢化反应器内部流场状态的问题。冷氢化设备包括冷氢化装置、测压吹扫装置、破泡装置和控制器;反应腔中具有测压区,测压区位于破泡装置中,测压吹扫装置上设置有压力检测件,压力检测件和控制器电连接,压力检测件被配置为检测测压区内的压差,并发送压差至控制器;控制器被配置为当压差高于预设压差时停止向反应腔中补充硅粉、以及被配置为当压差低于预设压差向反应腔中补充硅粉。本申请利用差压原理进行床层料位的测量,有效防止堵塞问题,准确控制冷氢化设备内部的流场状态,使反应保持稳定,进而保证冷氢化设备内部的稳定性。

主权项:1.一种冷氢化设备,其特征在于,包括冷氢化装置、测压吹扫装置、破泡装置和控制器,所述冷氢化装置具有反应壳体,所述反应壳体具有反应腔,所述破泡装置设置于所述反应腔中,所述测压吹扫装置设置于所述反应腔的外部;沿所述反应壳体的高度的延伸方向,所述反应壳体上间隔开设有至少两个测压吹扫口,至少两个所述测压吹扫口靠近所述破泡装置,所述测压吹扫装置具有至少两个吹扫端,至少两个所述吹扫端与至少两个所述测压吹扫口一一对应且连通,吹扫气体经由所述测压吹扫口进入至所述反应腔,并用于对所述反应腔中的硅粉进行吹扫;所述反应腔中具有测压区,所述测压区位于所述破泡装置中,所述测压吹扫装置上设置有压力检测件,所述压力检测件和所述控制器电连接,所述压力检测件被配置为检测所述测压区内的压差,并发送压差至所述控制器;所述控制器被配置为当所述压差高于预设压差时停止向所述反应腔中补充硅粉、以及被配置为当所述压差低于预设压差向所述反应腔中补充硅粉。

全文数据:

权利要求:

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