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申请/专利权人：杭州镓仁半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种基于冷坩埚法制备特定规格致密氧化镓多晶料块的装置及方法，其中装置包括冷却组件、氧化镓冷坩埚、熔冻感应管、多晶料块成型模具、第一感应加热线圈和第二感应加热线圈。冷却组件用于支撑氧化镓冷坩埚并吸收热量，以使氧化镓冷坩埚维持坩埚形态。熔冻感应管用于导出氧化镓熔体，多晶料块成型模具用于承接氧化镓熔体。第一感应加热线圈设置于冷却组件外侧，用于在氧化镓冷坩埚内侧形成热效应区域。第二感应加热线圈设置于熔冻感应管外侧，用于调节熔冻感应管内熔体和固体的状态变化。相比于现有技术，本发明的技术方案在提高装料密度的同时，能够提高料块形态的可控性和装料便捷性，使氧化镓单晶生长的单炉产能和稳定性大幅提升。
主权项：1.一种基于冷坩埚法制备特定规格致密氧化镓多晶料块的装置，其特征在于，包括：氧化镓冷坩埚，所述氧化镓冷坩埚用于容纳氧化镓原料；冷却组件，所述冷却组件包括支撑架和冷却介质循环组件；所述支撑架内部具有循环介质通道，所述冷却介质循环组件连接所述循环介质通道；所述支撑架用于支撑所述氧化镓冷坩埚并吸收热量，以使所述氧化镓冷坩埚维持坩埚形态；第一感应加热线圈，所述第一感应加热线圈设置于所述支撑架的外侧，用于在所述氧化镓冷坩埚内侧形成热效应区域，以将所述氧化镓冷坩埚内侧的氧化镓原料加热为氧化镓熔体；熔冻感应管，所述熔冻感应管连接所述支撑架的底部，用于导出氧化镓熔体；第二感应加热线圈，所述第二感应加热线圈设置于所述熔冻感应管外侧，用于在所述熔冻感应管内侧形成熔冻区，以将所述熔冻感应管内侧的氧化镓，以及所述氧化镓冷坩埚底部与所述熔冻感应管正对位置的氧化镓加热为熔体；多晶料块成型模具，所述多晶料块成型模具设置于所述熔冻感应管下方，用于承接所述熔冻感应管导出的熔化的氧化镓，并使氧化镓成型为多晶料块成型模具的内腔形状。
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权利要求：
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