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申请/专利权人:武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要:本发明提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括半导体基底,所述半导体基底包括SOI区和体硅区,所述SOI区包括从下至上的衬底、埋氧层及半导体层,所述体硅区包括所述衬底,所述体硅区的所述衬底的顶面与所述SOI区的所述半导体层的顶面齐平,从而可以降低所述SOI区和所述体硅区上制备相应的半导体结构时,对刻蚀工艺和沉积工艺的要求。相应的,本发明还提供了一种半导体器件的制备方法。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括半导体基底,所述半导体基底包括SOI区和体硅区,所述SOI区包括从下至上的衬底、埋氧层及半导体层,所述体硅区包括所述衬底,所述体硅区的所述衬底的顶面与所述SOI区的所述半导体层的顶面齐平。
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权利要求:
百度查询: 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件及其制备方法
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