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申请/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
摘要：本申请提出了一种硅通孔结构，包括：基板，所述基板设置有凹槽，所述凹槽包括第一凹部和第二凹部，所述第二凹部设置于所述第一凹部下方，且所述第二凹部的直径小于所述第一凹部，所述第一凹部的直径沿第一方向渐缩，所述第一方向为垂直于所述基板上表面、从所述基板上表面指向所述基板下表面的方向；第一介电层，所述第一介电层位于所述基板上方且与所述基板共形；金属层，所述金属层位于所述第一介电层上方且与所述第一介电层共形。这样一来，通过分段阶梯式的结构，降低材料在单方向的长度，减少热膨胀的内应力，从而确保应力得到充分分散，从而避免硅通孔结构出现介电层与金属层的脱层现象。此外，这种分段阶梯式的结构，可以使制程中溅镀在结构侧壁的种子层更完整，避免出现种子层不连续的问题。
主权项：1.一种硅通孔结构，其特征在于，所述硅通孔结构包括：基板，所述基板设置有凹槽，所述凹槽包括第一凹部和第二凹部，所述第二凹部设置于所述第一凹部下方，且所述第二凹部的直径小于所述第一凹部，所述第一凹部的直径沿第一方向渐缩，所述第一方向为垂直于所述基板上表面、从所述基板上表面指向所述基板下表面的方向；第一介电层，所述第一介电层位于所述基板上方且与所述基板共形；金属层，所述金属层位于所述第一介电层上方且与所述第一介电层共形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月光半导体制造股份有限公司 硅通孔结构
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