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大范围波长调谐半导体激光器结构 

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申请/专利权人:长春中科长光时空光电技术有限公司;江苏长光时空光电技术有限公司

摘要:本发明涉及半导体激光器技术领域,尤其涉及一种大范围波长调谐半导体激光器结构,包括VCSEL部分和温度变化部分;温度变化部分包括环绕VCSEL部分的环形加热层,环形加热层为VCSEL部分提供温度变化;N型热应变材料层和P型热应变材料层紧贴VCSEL部分中的有源层的两侧,N型热应变材料层和P型热应变材料层因温度变化发生形变并向有源层施加应力;有源层受温度变化部分影响发生温度偏移,配合所述应力完成波长调谐;通过温度变化调节N型热应变材料层和P型热应变材料层的厚度以增加微腔腔长,实现高的输出功率和良好的腔内光束模式控制。

主权项:1.一种大范围波长调谐半导体激光器结构,其特征在于:包括VCSEL部分和温度变化部分;其中,所述温度变化部分包括N型热应变材料层、P型热应变材料层和环形加热层;所述环形加热层包裹所述VCSEL部分并改变所述VCSEL部分的温度,且在所述环形加热层与所述VCSEL部分之间存在有绝缘层;所述N型热应变材料层和所述P型热应变材料层紧贴所述VCSEL部分中的有源层的两侧。

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