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申请/专利权人：长春中科长光时空光电技术有限公司;江苏长光时空光电技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种可切换波长输出半导体激光器结构，在N型DBR层和P型DBR层之间交替生长有不少于2组的激光输出组和不少于1个的双向电极层；其中，每个激光输出组均包括有源区层，以及生长在每个有源区层上的氧化限制层，且每个有源区层中不同增益峰值的量子阱的数量均不相同；多个不同增益峰值的量子阱的有源区层放置在同一谐振腔内，配合对应的氧化限制层和可以实现双向供电的双向电极层实现同一谐振腔两个或多个波长的激光可切换输出。
主权项：1.一种可切换波长输出半导体激光器结构，包括N型电极层和逐层生长的衬底层、N型DBR层、P型DBR层和P型电极层，其特征在于：在所述N型DBR层和所述P型DBR层之间生长有不少于2组的激光输出组和不少于1个的双向电极层；其中，每个激光输出组均包括有源区层，以及生长在每个有源区层上的氧化限制层，且每个有源区层中不同增益峰值的量子阱的数量均不相同；靠近所述N型DBR层的激光输出组中的有源区层紧贴所述N型DBR层，靠近所述N型DBR层的激光输出组中的氧化限制层与所述双向电极层的一侧紧贴，所述双向电极层的另一侧与另一组激光输出组中的有源区层紧贴；每个激光输出组与每个双向电极层交替生长，直至靠近所述P型DBR层的激光输出组中的氧化限制层紧贴所述P型DBR层。
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权利要求：
百度查询： 长春中科长光时空光电技术有限公司 江苏长光时空光电技术有限公司 可切换波长输出半导体激光器结构
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