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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明提供一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法，属于功率半导体技术领域，该器件拥有p+区域与n+区域不同的金属形成的欧姆接触，使用间隔物薄介质层实现n+源区的沟道自对准，保证了器件的可靠性，并减小沟道区域的电阻，进而减小器件整体的比导通电阻。该工艺过程中首先进行p+区域的离子注入，使用金属层阻挡之后的n+区域氮离子注入p+区域，该金属层最终随着碳化硅晶圆注入后的热退火，同时在p+区域形成欧姆接触。本发明优化了器件的工艺流程，简化了碳化硅平面栅MOSFET的制作工艺步骤，减少了碳化硅平面栅MOSFET的工艺时间和生产成本，并且分别在n+区域和p+区域实现了不同金属的欧姆接触。
主权项：1.一种碳化硅平面栅功率MOSFET，其特征在于，由下到上包括衬底、外延层、CSL层，CSL层上注入制作得到p阱区域，p阱区域中间从下到上设有p+区域、p+区域金属层，p+区域两侧的p阱区域上表面注入制作有n+区域，p阱区域一旁的CSL层上注入制作有结终端区域，结终端区域与p阱区域一侧连接；p+区域一侧的CSL层上方依次设有栅极氧化层、栅极多晶硅，二者覆盖住部分CSL层、部分p阱区域、部分n+区域；栅极多晶硅上方及侧面设有电介质层，电介质层旁边设有源极金属，源极金属覆盖住部分n+区域、部分p+区域金属层；源极金属旁边设有电介质层，电介质层覆盖部分p+区域金属层、n+区域、部分p阱区域、结终端区域；电介质层和源极金属的上方设置顶层金属层；结终端区域一旁的CSL层上刻蚀有标记槽，标记槽不被任何材料覆盖。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法
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