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申请/专利权人：飞锃半导体(上海)有限公司
摘要：本申请技术方案提供一种MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法，包括：提供MOSFET驱动回路的RLC二阶等效电路，所述RLC二阶等效电路包括电连接的驱动信号源、驱动电阻、驱动回路寄生电感以及所述MOSFET的栅源寄生电容、栅漏寄生电容和漏源寄生电容；使所述MOSFET的栅源寄生电容值、栅漏寄生电容值及漏源寄生电容值达到稳定值；将所述RLC二阶等效电路由过阻尼状态转变为欠阻尼状态，期间所述MOSFET不开通，并获得所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系；基于所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系，获得震荡周期及幅值，进而获得驱动回路寄生电感值。本申请技术方案在不对器件造成损害的情况下，解决了MOSFET驱动回路寄生电感难以获取的问题。
主权项：1.一种MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法，其特征在于，包括：提供MOSFET驱动回路的RLC二阶等效电路，所述RLC二阶等效电路包括电连接的驱动信号源、驱动电阻、驱动回路寄生电感以及所述MOSFET的栅源寄生电容、栅漏寄生电容和漏源寄生电容；使所述MOSFET的栅源寄生电容值、栅漏寄生电容值及漏源寄生电容值达到稳定值；将所述RLC二阶等效电路由过阻尼状态转变为欠阻尼状态，期间所述MOSFET不开通，并获得所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系；基于所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系，获得震荡周期及幅值，进而获得驱动回路寄生电感值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 飞锃半导体(上海)有限公司 MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法
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